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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
25
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
23
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2548
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
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Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
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