RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
25
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
23
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2548
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link