RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
25
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
13.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2548
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GAR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kllisre 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link