RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
69
84
En 18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
84
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
1574
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link