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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
69
84
左右 18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.8
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
84
读取速度,GB/s
4,217.2
14.8
写入速度,GB/s
1,857.7
6.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
1574
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
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