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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
15.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
77
左右 -196% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
26
读取速度,GB/s
3,405.2
18.7
写入速度,GB/s
2,622.0
15.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3834
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Southland Microsystems 40002105-01 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
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V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
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