RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
15.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
77
Autour de -196% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3834
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link