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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
比较
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB vs Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
总分
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
差异
规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
26
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
24
读取速度,GB/s
13.9
15.2
写入速度,GB/s
8.9
11.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2238
2917
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
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