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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
比较
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.1
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
41
左右 -11% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
41
37
读取速度,GB/s
14.1
13.2
写入速度,GB/s
8.2
8.4
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2240
2143
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB RAM的比较
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
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