Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB

总分
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

总分
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Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB

Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    62 left arrow 203
    左右 69% 更低的延时
  • 更高的内存带宽,mbps
    6400 left arrow 3200
    左右 2% 更高的带宽
  • 更快的读取速度,GB/s
    854.3 left arrow 3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    392.8 left arrow 1,843.6
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMark中的延时,ns
    62 left arrow 203
  • 读取速度,GB/s
    3,556.6 left arrow 854.3
  • 写入速度,GB/s
    1,843.6 left arrow 392.8
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 3200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 3-3-3-12 / 400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    542 left arrow 269
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