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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
总分
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
62
左右 -107% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
1,843.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
30
读取速度,GB/s
3,556.6
12.2
写入速度,GB/s
1,843.6
9.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
542
2354
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM的比较
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
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Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
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