Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB

Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB vs Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB

总分
star star star star star
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

总分
star star star star star
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB

Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    3 left arrow 15.5
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    25 left arrow 67
    左右 -168% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    7.6 left arrow 1,338.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    19200 left arrow 5300
    左右 3.62 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    67 left arrow 25
  • 读取速度,GB/s
    3,206.2 left arrow 15.5
  • 写入速度,GB/s
    1,338.6 left arrow 7.6
  • 内存带宽,mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    447 left arrow 2364
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较