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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
43
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
27
读取速度,GB/s
12.3
15.6
写入速度,GB/s
8.1
13.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2964
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
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