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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
比较
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
总分
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
总分
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
25
读取速度,GB/s
12.8
15.1
写入速度,GB/s
6.7
10.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2310
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB RAM的比较
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KY7N41-MID 8GB
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