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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
66
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.1
2,066.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
66
读取速度,GB/s
4,577.1
15.1
写入速度,GB/s
2,066.5
7.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
1820
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
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Kingston TCM633-QAC 1GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
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