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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
37
左右 5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.1
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
37
读取速度,GB/s
14.4
14.1
写入速度,GB/s
9.5
11.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2946
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
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