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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
58
左右 -87% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.6
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
31
读取速度,GB/s
4,241.0
16.4
写入速度,GB/s
1,950.7
12.6
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3046
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
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