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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
总分
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.6
11.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
16.7
16.4
写入速度,GB/s
11.8
12.6
内存带宽,mbps
21300
25600
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2756
3046
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
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