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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
104
左右 -333% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
24
读取速度,GB/s
3,192.0
16.8
写入速度,GB/s
2,404.5
12.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2946
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
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