RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
比较
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
总分
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
12.8
18.0
写入速度,GB/s
8.3
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1896
3637
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB RAM的比较
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link