RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
26
读取速度,GB/s
13.9
19.1
写入速度,GB/s
8.6
15.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3876
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link