RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
37
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3876
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link