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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
37
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.6
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
37
读取速度,GB/s
15.0
15.0
写入速度,GB/s
10.1
11.6
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
2907
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
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