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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
62
203
Rund um 69% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
6400
3200
Rund um 2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
854.3
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
392.8
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
62
203
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
854.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
392.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
3200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
3-3-3-12 / 400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
269
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
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G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
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