Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB

Punteggio complessivo
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB

Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    62 left arrow 203
    Intorno 69% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    6400 left arrow 3200
    Intorno 2% larghezza di banda superiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    854.3 left arrow 3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    392.8 left arrow 1,843.6
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenza in PassMark, ns
    62 left arrow 203
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,556.6 left arrow 854.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,843.6 left arrow 392.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 3200
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 3-3-3-12 / 400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    542 left arrow 269
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