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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB

総合得点
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

総合得点
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Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB

Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB 考慮すべき理由
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    62 left arrow 203
    周辺 69% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 3200
    周辺 2% 高帯域
Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB 考慮すべき理由
Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    854.3 left arrow 3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    392.8 left arrow 1,843.6
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    62 left arrow 203
  • 読み出し速度、GB/s
    3,556.6 left arrow 854.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,843.6 left arrow 392.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 3200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 3-3-3-12 / 400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    542 left arrow 269

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