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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB
総合得点
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
総合得点
Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
62
203
周辺 69% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
6400
3200
周辺 2% 高帯域
考慮すべき理由
Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
854.3
3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
392.8
1,843.6
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR2
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
62
203
読み出し速度、GB/s
3,556.6
854.3
書き込み速度、GB/秒
1,843.6
392.8
メモリ帯域幅、mbps
6400
3200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
3-3-3-12 / 400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
542
269
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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