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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Comparar
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.1
13.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
41
Por volta de -11% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
8.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
41
37
Velocidade de leitura, GB/s
14.1
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
8.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2240
2143
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
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