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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
29
读取速度,GB/s
8.0
16.8
写入速度,GB/s
7.3
13.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3375
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
INTENSO 5641152 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
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