Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Средняя оценка

Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB

Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Сообщить об ошибке

Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB

Причины выбрать
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 33

Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.8 8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.6 7.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 10600

Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

33 29
Скорость чтения, Гб/сек

8.0 16.8
Скорость записи, Гб/сек

7.3 13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 25600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1911 3375

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB

Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB

Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB

PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Kingston KYXC0V-MID 16GB

Kingston KYXC0V-MID 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB

Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB

Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB

Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB

Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB

модули RAM