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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
INTENSO 5641152 4GB
比较
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB vs INTENSO 5641152 4GB
总分
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
总分
INTENSO 5641152 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.1
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO 5641152 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
13.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
INTENSO 5641152 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
13.3
14.1
写入速度,GB/s
9.1
6.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
2215
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
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