RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
69
En -214% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
22
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
3122
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link