RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
69
Wokół strony -214% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3122
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link