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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
69
En -109% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
2918
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
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