RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
92
En -411% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
18
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
3564
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link