RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
92
Wokół strony -411% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
18
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3564
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Crucial Technology BLT8G3D21BCT1.16FN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link