RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
69
En -176% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
3187
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link