RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
69
Wokół strony -176% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3187
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link