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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
69
En -156% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
3531
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
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