RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
69
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3531
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link