RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
48
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
48
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
1858
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link