RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
22.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
69
En -116% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.4
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
22.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
16.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
3837
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link