RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
22.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
69
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
22.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3837
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link