RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
22.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
69
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
22.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3837
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston 99U5471-050.A00LF 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link