RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
69
En -97% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
2768
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link