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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
58
En -152% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.1
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
6.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2130
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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AMD AE34G1601U1 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
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Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
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