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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
58
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
38
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2807
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
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