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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
58
Por volta de -53% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
38
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
10.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
2807
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
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