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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
58
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
38
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2650
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
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Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
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