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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
58
Por volta de -53% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
38
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
10.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
2650
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
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