RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
58
En -115% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2291
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston 9905469-136.A00LF 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link