RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
58
Por volta de -115% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
27
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
11.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
2291
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905469-136.A00LF 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link