RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
58
En -190% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
20
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2965
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link